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G3R350MT12D

G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 379 Stücke:
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Technische Details G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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G3R350MT12D G3R350MT12D Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B400C7&compId=G3R350MT12D.pdf?ci_sign=b08bdf2e36df35986c19da23f6988a87e11ba7b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 16A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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G3R350MT12D G3R350MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D-3478175.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 2845 Stücke:
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10+7.02 EUR
30+6.71 EUR
120+6.23 EUR
270+5.95 EUR
510+5.74 EUR
1020+5.53 EUR
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G3R350MT12D G3R350MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
auf Bestellung 8011 Stücke:
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Anzahl Preis
3+7.96 EUR
10+7.06 EUR
25+6.73 EUR
100+6.26 EUR
250+5.97 EUR
500+5.77 EUR
1000+5.55 EUR
2500+5.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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G3R350MT12D G3R350MT12D Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR 3189231.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 20 Stücke:
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G3R350MT12D
Produktcode: 199077
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G3R350MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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