 
G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
 Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
                                                Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis | 
|---|---|
| 4+ | 18.55 EUR | 
| 5+ | 17.53 EUR | 
| 30+ | 16.86 EUR | 
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Technische Details G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015). 
Weitere Produktangebote G3R40MT12D nach Preis ab 16.86 EUR bis 31.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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|   | G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |  Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A Case: TO247-3 On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 671 Stücke:Lieferzeit 7-14 Tag (e) | 
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|   | G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 78 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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|   | G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 60 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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|   | G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V | auf Bestellung 1987 Stücke:Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
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|   | G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET | auf Bestellung 541 Stücke:Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
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|   | G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 24 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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|   | G3R40MT12D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |  Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 3 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| G3R40MT12D Produktcode: 177790 
            
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                 |  Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
|   | G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar |