G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor
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| 30+ | 19.32 EUR |
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Technische Details G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote G3R40MT12D nach Preis ab 18.52 EUR bis 31.84 EUR
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G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R40MT12D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R40MT12D THT N channel transistors |
auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R40MT12D Produktcode: 177790
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R40MT12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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