G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor
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Technische Details G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V, Power Dissipation (Max): 374W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ), Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote G3R40MT12J nach Preis ab 15.22 EUR bis 32.21 EUR
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G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
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G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 374W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R40MT12J | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 374W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R40MT12J | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 53A; Idm: 140A; 374W Mounting: SMD On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Drain current: 53A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 374W Drain-source voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC Kind of package: tube Case: TO263-7 |
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