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G3R40MT12J

G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
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Technische Details G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 374W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
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G3R40MT12J G3R40MT12J Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
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G3R40MT12J G3R40MT12J GENESIC 3189223.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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