Produkte > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R450MT17D
G3R450MT17D

G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor

g3r450mt17d.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+10.22 EUR
17+8.51 EUR
30+7.7 EUR
120+7.1 EUR
270+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.

Weitere Produktangebote G3R450MT17D nach Preis ab 6.62 EUR bis 11.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G3R450MT17D G3R450MT17D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+10.22 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.7 EUR
10+10.52 EUR
25+10.08 EUR
100+9.46 EUR
250+9.07 EUR
500+8.78 EUR
1000+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.81 EUR
10+10.61 EUR
30+10.17 EUR
120+9.52 EUR
270+9.13 EUR
510+8.84 EUR
1020+8.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf G3R450MT17D THT N channel transistors
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.55 EUR
11+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17D G3R450MT17D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH