G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 35.61 EUR |
| 10+ | 32.18 EUR |
| 30+ | 30.09 EUR |
| 120+ | 28.37 EUR |
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Technische Details G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 438W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 438W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote G3R45MT17D nach Preis ab 26.98 EUR bis 53.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 438W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R45MT17D | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 438W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17D THT N channel transistors |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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| G3R45MT17D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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