G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 59.04 EUR |
| 10+ | 54.18 EUR |
| 25+ | 52.36 EUR |
| 100+ | 49.72 EUR |
| 250+ | 48.04 EUR |
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Technische Details G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 438W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.
Weitere Produktangebote G3R45MT17K nach Preis ab 34.27 EUR bis 154.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R45MT17K | GENESIC |
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 438W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 43A Power dissipation: 438W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 160A Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: tube |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 59.56 EUR |
| 10+ | 54.64 EUR |
| 30+ | 53.16 EUR |
| G3R45MT17K |
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Hersteller: GENESIC
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 438W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 438W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 154.94 EUR |
| 5+ | 125.89 EUR |
| G3R45MT17K |
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Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| G3R45MT17K |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 34.27 EUR |
| G3R45MT17K |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 51.61 EUR |
| G3R45MT17K |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 51.61 EUR |
| G3R45MT17K |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 115.05 EUR |