G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Gate charge: 182nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 37.48 EUR |
| 30+ | 36.04 EUR |
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Technische Details G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 438W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote G3R45MT17K nach Preis ab 27.52 EUR bis 92.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 43A Power dissipation: 438W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 160A Gate charge: 182nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 438W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 1173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3R45MT17K | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| G3R45MT17K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
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