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G3R75MT12D

G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

g3r75mt12d.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 207W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V.

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G3R75MT12D G3R75MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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G3R75MT12D G3R75MT12D Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
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G3R75MT12D G3R75MT12D Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
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G3R75MT12D G3R75MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
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G3R75MT12D G3R75MT12D Hersteller : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D-3478394.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
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G3R75MT12D G3R75MT12D Hersteller : GENESIC G3R75MT12D.pdf Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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G3R75MT12D
Produktcode: 177791
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