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Technische Details G500P03IE GOFORD Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Case: SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Mounting: SMD, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -4.6A, Gate charge: 13nC, Power dissipation: 1.4W, Gate-source voltage: ±12V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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| G500P03IE | Hersteller : GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23 Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.6A Gate charge: 13nC Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±12V |
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