G7K2N20HE GOFORD Semiconductor


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Hersteller: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
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Technische Details G7K2N20HE GOFORD Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 10.8nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G7K2N20HE G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-223
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G7K2N20HE G7K2N20HE GOFORD Semiconductor goford-g7k2n20he.pdf N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
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G7K2N20HE G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE.pdf Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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50+0.62 EUR
100+0.55 EUR
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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