G80P03K Goford Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.14 EUR |
| 16+ | 1.33 EUR |
| 50+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
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Technische Details G80P03K Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -80A, Power dissipation: 78W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 30nC.
Weitere Produktangebote G80P03K
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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G80P03K | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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G80P03K | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -80A Power dissipation: 78W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 30nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| G80P03K |
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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
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Stück im Wert von UAH
| G80P03K |
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Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
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