GA05JT01-46

GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor


GA05JT01-46-437429.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET SiC High Temperature JT
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Technische Details GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor

Description: TRANS SJT 100V 9A TO46, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 210°C, FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V, Current Drain (Id) - Max: 5.8 A, Supplier Device Package: TO-46, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Power - Max: 20 W, Resistance - RDS(On): 240 mOhms.

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GA05JT01-46 GA05JT01-46 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46_Dec2014.pdf Description: TRANS SJT 100V 9A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 210°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547pF @ 100V
Current Drain (Id) - Max: 5.8 A
Supplier Device Package: TO-46
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Power - Max: 20 W
Resistance - RDS(On): 240 mOhms
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