GA06JT12-247

GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor


GA06JT12-247-471373.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
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Technische Details GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor

Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V, Current Drain (Id) - Max: 6 A, Supplier Device Package: TO-247-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV, Power - Max: 24 W, Resistance - RDS(On): 200 mOhms.

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GA06JT12-247 GA06JT12-247 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V
Current Drain (Id) - Max: 6 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 24 W
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