
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V, Current Drain (Id) - Max: 6 A, Supplier Device Package: TO-247-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV, Power - Max: 24 W, Resistance - RDS(On): 200 mOhms.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GA06JT12-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 500V Current Drain (Id) - Max: 6 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Power - Max: 24 W Resistance - RDS(On): 200 mOhms |
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