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GANB012-040CBAZ

GANB012-040CBAZ Nexperia

GANB012-040CBA.pdf
Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
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Technische Details GANB012-040CBAZ Nexperia

Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 7.2nC, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GANB012-040CBAZ GANB012-040CBAZ NEXPERIA 4588026.pdf Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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83+3.02 EUR
128+1.82 EUR
131+1.64 EUR
500+1.59 EUR
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GANB012-040CBAZ GANB012-040CBAZ NEXPERIA 4588026.pdf Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
128+1.82 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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128+1.82 EUR
131+1.64 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.54 EUR
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Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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