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GANB012-040CBAZ

GANB012-040CBAZ Nexperia

GANB012-040CBA.pdf
Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
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Technische Details GANB012-040CBAZ Nexperia

Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 7.2nC, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GANB012-040CBAZ GANB012-040CBAZ Hersteller : NEXPERIA 4588026.pdf Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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GANB012-040CBAZ GANB012-040CBAZ Hersteller : NEXPERIA 4588026.pdf Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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GANB012-040CBAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. GANB012-040CBA.pdf Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Tape & Reel (TR)
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GANB012-040CBAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. GANB012-040CBA.pdf Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Cut Tape (CT)
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