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GANB012-040CBAZ

GANB012-040CBAZ Nexperia

GANB012-040CBA.pdf
Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
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Technische Details GANB012-040CBAZ Nexperia

Description: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 7.2nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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GANB012-040CBAZ
Hersteller: NEXPERIA
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