GANC035-650TBHZ Nexperia USA Inc.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.62 EUR |
| 10+ | 11.34 EUR |
| 50+ | 9.08 EUR |
| 100+ | 8.35 EUR |
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Technische Details GANC035-650TBHZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - GANC035-650TBHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 27nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Weitere Produktangebote GANC035-650TBHZ nach Preis ab 6.95 EUR bis 20.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GANC035-650TBHZ | Nexperia |
 GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GANC035-650TBHZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANC035-650TBHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 27nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GANC035-650TBHZ |
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Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.17 EUR |
| 10+ | 9.47 EUR |
| 100+ | 8.71 EUR |
| 500+ | 8.65 EUR |
| 1000+ | 7.71 EUR |
| 2000+ | 6.95 EUR |
| GANC035-650TBHZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANC035-650TBHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLL, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
Description: NEXPERIA - GANC035-650TBHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 20.47 EUR |
| 15+ | 15.64 EUR |
| 20+ | 11.2 EUR |
| 50+ | 10.79 EUR |
| 100+ | 10.36 EUR |
| 250+ | 10.15 EUR |