GANC035-650UTHZ Nexperia USA Inc.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.09 EUR |
| 10+ | 11.67 EUR |
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Technische Details GANC035-650UTHZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 27nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TOLT, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Weitere Produktangebote GANC035-650UTHZ nach Preis ab 7.19 EUR bis 21.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GANC035-650UTHZ | Nexperia |
GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GANC035-650UTHZ | NEXPERIA |
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| GANC035-650UTHZ |
![]() |
Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.3 EUR |
| 10+ | 9.76 EUR |
| 100+ | 8.98 EUR |
| 500+ | 8.69 EUR |
| 1000+ | 7.19 EUR |
| GANC035-650UTHZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.24 EUR |
| 15+ | 16.22 EUR |
| 19+ | 11.63 EUR |
| 50+ | 11.2 EUR |
| 100+ | 10.76 EUR |
| 250+ | 10.52 EUR |



