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GANC035-650UTHZ Nexperia USA Inc.


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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
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Technische Details GANC035-650UTHZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 27nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TOLT, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GANC035-650UTHZ GANC035-650UTHZ Nexperia GANC035-650UTH.pdf GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
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GANC035-650UTHZ NEXPERIA GANC035-650UTH.pdf Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 27nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TOLT
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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Description: NEXPERIA - GANC035-650UTHZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TOLT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 27nC
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Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
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