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Technische Details GANC035-650VSHQ Nexperia
Description: NEXPERIA - GANC035-650VSHQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 27nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Weitere Produktangebote GANC035-650VSHQ nach Preis ab 9.67 EUR bis 22.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GANC035-650VSHQ | Nexperia USA Inc. |
 Description: GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4 |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GANC035-650VSHQ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GANC035-650VSHQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 27nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GANC035-650VSHQ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
Description: GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
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| 2+ | 17.61 EUR |
| 10+ | 12.05 EUR |
| 50+ | 9.67 EUR |
| GANC035-650VSHQ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANC035-650VSHQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Durchsteckmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Produktpalette: -
productTraceability: No
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
Description: NEXPERIA - GANC035-650VSHQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Durchsteckmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 22.09 EUR |
| 14+ | 16.87 EUR |
| 18+ | 12.1 EUR |
| 50+ | 11.65 EUR |
| 100+ | 11.19 EUR |
| 250+ | 10.95 EUR |