GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor


GAP3SLT33-214.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
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Technische Details GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V.

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GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
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GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33_214-2449943.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
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GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Hersteller : GeneSiC Semiconductor gap3slt33-214.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 3.3KV 0.3A 2-Pin SMB
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GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F604D1BD40C7&compId=GAP3SLT33-214.pdf?ci_sign=3f7c816d7df04ea04b3ce4c56965ceee66bdb19f Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
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