GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Supplier Device Package: DO-214AA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V.
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GAP3SLT33-214 Produktcode: 111733
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GAP3SLT33-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V |
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GAP3SLT33-214 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-214AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V |
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