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GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

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Technische Details GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263-7, Current - Average Rectified (Io): 18A, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	GB05MPS17-263	GeneSiC Semiconductor	Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263-7 Current - Average Rectified (Io): 18A Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GB05MPS17-263

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 18A
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube

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