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GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

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Technische Details GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 18A, Supplier Device Package: TO-263-7, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	GB05MPS17-263	GeneSiC Semiconductor	Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GB05MPS17-263

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V

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