 
GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GB2X100MPS12-227 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 796nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015). 
Weitere Produktangebote GB2X100MPS12-227 nach Preis ab 216.76 EUR bis 353.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||
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|   | GB2X100MPS12-227 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Description: DIODE MOD SIC 1200V 185A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 185A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V | auf Bestellung 2 Stücke:Lieferzeit 10-14 Tag (e) | 
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|   | GB2X100MPS12-227 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Silicon Carbide Power | auf Bestellung 28 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | 
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|   | GB2X100MPS12-227 | Hersteller : GENESIC |  Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 796nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | auf Bestellung 141 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||
|   | GB2X100MPS12-227 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Silicon Carbide Power | auf Bestellung 28 Stücke:Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||
|   | GB2X100MPS12-227 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Silicon Carbide Power | Produkt ist nicht verfügbar | |||||
|   | GB2X100MPS12-227 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |  Silicon Carbide Power | Produkt ist nicht verfügbar |