
GBJ10D DC COMPONENTS

Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A
Kind of package: tube
Case: GBJ4-10
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Load current: 10A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 210A
Max. off-state voltage: 200V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Leads: flat pin
Version: flat
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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250+ | 0.29 EUR |
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281+ | 0.25 EUR |
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Technische Details GBJ10D DC COMPONENTS
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A, Kind of package: tube, Case: GBJ4-10, Type of bridge rectifier: single-phase, Electrical mounting: THT, Load current: 10A, Max. forward voltage: 1.1V, Max. forward impulse current: 210A, Max. off-state voltage: 200V, Features of semiconductor devices: glass passivated, Leads: flat pin, Version: flat, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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GBJ10D | Hersteller : DC COMPONENTS |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 10A; Ifsm: 210A Kind of package: tube Case: GBJ4-10 Type of bridge rectifier: single-phase Electrical mounting: THT Load current: 10A Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 210A Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: glass passivated Leads: flat pin Version: flat |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBJ10D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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GBJ10D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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GBJ10D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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