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GBJ2010-F

GBJ2010-F Diodes Incorporated

ds21220.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 20A
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Technische Details GBJ2010-F Diodes Incorporated

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 20 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

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GBJ2010-F GBJ2010-F Hersteller : Diodes Incorporated GBJ20005%7EGBJ2010.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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GBJ2010-F Hersteller : DIODES INCORPORATED GBJ20005%7EGBJ2010.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 20A; Ifsm: 240A
Electrical mounting: THT
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 0.24kA
Max. off-state voltage: 1kV
Version: flat
Leads: flat pin
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