GBJ2510-G Comchip Technology
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.7 EUR |
| 10+ | 3.04 EUR |
| 105+ | 1.95 EUR |
| 1005+ | 1.9 EUR |
| 2505+ | 1.87 EUR |
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Technische Details GBJ2510-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote GBJ2510-G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| GBJ2510G | Hersteller : LTTSC |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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GBJ2510-G | Hersteller : Comchip Technology |
 Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin Case GBJ Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GBJ2510-G | Hersteller : Comchip Technology |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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