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GBJ3510-F

GBJ3510-F Diodes Incorporated

GBJ3510.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.6A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3.6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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Technische Details GBJ3510-F Diodes Incorporated

Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 35A; Ifsm: 400A, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 35A, Max. forward impulse current: 0.4kA, Electrical mounting: THT, Version: flat, Max. forward voltage: 1.1V, Leads: flat pin, Case: GBJ, Features of semiconductor devices: glass passivated, Kind of package: tube, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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GBJ3510-F Hersteller : Diodes Zetex 2864gbj3510.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 3.6A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube
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GBJ3510-F Hersteller : DIODES INCORPORATED GBJ3510.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 35A; Ifsm: 400A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Electrical mounting: THT
Version: flat
Max. forward voltage: 1.1V
Leads: flat pin
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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GBJ3510-F GBJ3510-F Hersteller : Diodes Incorporated GBJ3510.pdf Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
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GBJ3510-F Hersteller : DIODES INCORPORATED GBJ3510.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 35A; Ifsm: 400A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Electrical mounting: THT
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Features of semiconductor devices: glass passivated
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