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Technische Details GBJ3510-F Diodes Incorporated
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 35A; Ifsm: 400A, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 35A, Max. forward impulse current: 0.4kA, Electrical mounting: THT, Version: flat, Max. forward voltage: 1.1V, Leads: flat pin, Case: GBJ, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: glass passivated.
Weitere Produktangebote GBJ3510-F nach Preis ab 1.4 EUR bis 4.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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GBJ3510-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.6A GBJPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 3.6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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| GBJ3510-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 3.6A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube |
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| GBJ3510-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 3.6A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube |
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| GBJ3510-F | Hersteller : Diodes Inc |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 3.6A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube |
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| GBJ3510-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 3.6A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube |
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| GBJ3510-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 3.6A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GBJ3510-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 35A; Ifsm: 400A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 35A Max. forward impulse current: 0.4kA Electrical mounting: THT Version: flat Max. forward voltage: 1.1V Leads: flat pin Case: GBJ Kind of package: tube Features of semiconductor devices: glass passivated |
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