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GBJ5010

GBJ501000L500A.pdf
Produktcode: 202137
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GBJ5010 GBJ5010 Hersteller : MDD GBJ501000L500A.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ
Packaging: Box
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 9250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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GBJ5010 Hersteller : Microdiode Electronics (MDD) GBJ501000L500A.pdf Bridge Diode
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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GBJ5010 Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic GBJ501000L500A.pdf Диодный мост 1000V 50A Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
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GBJ5010 Hersteller : LITEON GBJ501000L500A.pdf
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Gehäuse: TO-220-2
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Trr, ns: 23 ns
Austauschbar:: THT
auf Bestellung 49 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,65
Ic 25: 96
Ic 100: 48
Pd 25: 330
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 60/145
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.82 EUR
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Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Vrr, V: 200
Iav, A: 150
Trr, ns: 45
verfügbar: 23 St.
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+3.2 EUR
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