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GBJ810-F

GBJ810-F Diodes Incorporated

ds21217.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBJ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Supplier Device Package: GBJ
Technology: Standard
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Packaging: Tube
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Technische Details GBJ810-F Diodes Incorporated

Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 170A; flat, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 8A, Max. forward impulse current: 170A, Version: flat, Case: GBJ, Electrical mounting: THT, Leads: flat pin, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1V, Features of semiconductor devices: glass passivated.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GBJ810-F GBJ810-F Diodes Incorporated ds21217.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A
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GBJ810-F Diodes Zetex ds21217.pdf Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube
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GBJ810-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 8A
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Hersteller: Diodes Zetex
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin(4+Tab) Case GBJ Tube
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