GBL02-E3/45 Vishay General Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.73 EUR |
| 10+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 2000+ | 1.01 EUR |
| 10000+ | 0.98 EUR |
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Technische Details GBL02-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote GBL02-E3/45 nach Preis ab 1.38 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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GBL02-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBLPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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