GBL410 YJ
Produktcode: 121575
Hersteller: YJGehäuse: GBL
Urew: 1000 V
I dir: 4 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
auf Bestellung 123 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
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Möglichen Substitutionen GBL410 YJ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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GBL10 (Diodenbrücke) Produktcode: 42571 |
Hersteller : YJ |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen Gehäuse: GBL Urew: 1000V I dir: 4A Zus.Info: Einiphasen-Brücke Auwechselbar:: GBL005, GBL01, GBL02, GBL04, GBL06, GBL08 Монтаж: THT Імпульсний струм, А: 150 A № 7: 8541 10 00 10 |
verfügbar: 72 Stück
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Weitere Produktangebote GBL410 nach Preis ab 0.98 EUR bis 2.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBL410 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier |
auf Bestellung 633 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| GBL410 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| GBL410 | Hersteller : Diodes Zetex |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GBL410 | Hersteller : Diodes Inc |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GBL410 | Hersteller : Diodes Zetex |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GBL410 | Hersteller : Diodes Zetex |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| ST13007A (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 26412 |
|
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 8
h21: 40
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 8
h21: 40
ZCODE: THT
verfügbar: 208 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| D2UB100 Produktcode: 89528 |
|
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D3K
Urew: 1000V
I dir: 2A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 35 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D3K
Urew: 1000V
I dir: 2A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 35 A
verfügbar: 652 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.22 EUR |
| 10+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano) Produktcode: 6694 |
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 11587 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.02 EUR |
| 1000+ | 0.019 EUR |
| STP10NK60ZFP Produktcode: 4775 |
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 796 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.76 EUR |
| 10+ | 0.72 EUR |
| IRFZ24NPBF Produktcode: 4381 |
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|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 1073 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.4 EUR |
| 10+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.28 EUR |