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GBU10D

GBU10D GeneSiC Semiconductor

gbu10a.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE 1-PH GBU 200V 10A 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Technische Details GBU10D GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE 1-PH GBU 200V 10A 150C, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.

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