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GBU4B-E3/51

GBU4B-E3/51 Vishay

gbu4a.pdf Hersteller: Vishay
Diode Rectifier Bridge Single 100V 4A 4-Pin Case GBU Bulk
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Technische Details GBU4B-E3/51 Vishay

Description: VISHAY - GBU4B-E3/51 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V, tariffCode: 85411000, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1V, Bauform - Brückengleichrichter: SIP, usEccn: EAR99, Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage, Anzahl der Phasen: Eine Phase, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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GBU4B-E3/51 GBU4B-E3/51 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010924757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - GBU4B-E3/51 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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GBU4B-E3/51 Hersteller : VISHAY gbu4a.pdf GBU4B-E3/51 Flat single phase diode bridge rectif.
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GBU4B-E3/51 GBU4B-E3/51 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbu4a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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