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Technische Details GBU8J-M3/51 Vishay
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU, Packaging: Tray, Package / Case: 4-SIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 8 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote GBU8J-M3/51
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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GBU8J-M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBUPackaging: Tray Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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GBU8J-M3/51 | Vishay General Semiconductor |
Bridge Rectifiers 8A,600V,GPP,INLINE BRIDGE |
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GBU8J-M3/51 | Vishay Semiconductors |
Bridge Rectifiers 8A,600V,GPP,INLINE BRIDGE |
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GBU8J-M3/51 | VISHAY |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 200A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: GBU Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
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| GBU8J-M3/51 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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| GBU8J-M3/51 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Bridge Rectifiers 8A,600V,GPP,INLINE BRIDGE
Bridge Rectifiers 8A,600V,GPP,INLINE BRIDGE
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| GBU8J-M3/51 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 8A,600V,GPP,INLINE BRIDGE
Bridge Rectifiers 8A,600V,GPP,INLINE BRIDGE
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| GBU8J-M3/51 |
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Hersteller: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 8A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
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