GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.59 EUR |
| 10+ | 3.15 EUR |
| 25+ | 2.97 EUR |
| 100+ | 2.73 EUR |
| 250+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 8nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GC02MPS12-220 nach Preis ab 1.36 EUR bis 8.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GC02MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
GC02MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 16A Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
GC02MPS12-220 | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
GC02MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
GC02MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| GC02MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
 |
GC02MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |