Technische Details GC060N65QF Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247, Case: TO247, Technology: SJ-MOSFET, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Gate charge: 128nC, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 50A, Power dissipation: 388W, Drain-source voltage: 650V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.
Weitere Produktangebote GC060N65QF nach Preis ab 4.28 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| GC060N65QF | GOFORD Semiconductor |
 GC060N65QF |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GC060N65QF |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
GC060N65QF
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| 900+ | 4.28 EUR |