GC060N65QF Goford Semiconductor
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Technische Details GC060N65QF Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 50A, Case: TO247, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 388W, Technology: SJ-MOSFET, Gate charge: 128nC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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| GC060N65QF | Hersteller : GOFORD SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50A Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 388W Technology: SJ-MOSFET Gate charge: 128nC |
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