GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
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Technische Details GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 66nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GC15MPS12-247
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GC15MPS12-247 | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 66nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GC15MPS12-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GC15MPS12-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V |
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