Technische Details GC20N65Q Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 151W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 39nC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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GC20N65Q | Goford Semiconductor |
 Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4 |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GC20N65Q |
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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Description: N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 9.95 EUR |