GC300N65F Goford Semiconductor


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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,13A,33W,TO-220F
Packaging: Tube
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Technische Details GC300N65F Goford Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 33W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 13A, Power dissipation: 33W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 23nC, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GC300N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC300N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 33W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 33W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
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GC300N65F GC300N65F.pdf
Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 33W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 33W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
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