GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Weitere Produktangebote GC50MPS06-247
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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GC50MPS06-247 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GC50MPS06-247 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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