GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 400.75 EUR |
| 10+ | 378.73 EUR |
| 30+ | 370.8 EUR |
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Technische Details GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 50A, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote GC50MPS33H nach Preis ab 382.03 EUR bis 413.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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GC50MPS33H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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