GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V.
Weitere Produktangebote GC50MPS33H nach Preis ab 454.62 EUR bis 491.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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GC50MPS33H | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GC50MPS33H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
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