GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 400.75 EUR |
| 10+ | 378.73 EUR |
| 30+ | 370.8 EUR |
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Technische Details GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V.
Weitere Produktangebote GC50MPS33H nach Preis ab 382.03 EUR bis 413.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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GC50MPS33H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V |
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