GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1000A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1kA
Case: P2.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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Technische Details GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95, Dauer-Kollektorstrom: 1.604, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95, Verlustleistung Pd: 6.25, Verlustleistung: 6.25, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 1.604, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD1000HFX170P2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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GD1000HFX170P2S | STARPOWER |
 Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95 Dauer-Kollektorstrom: 1.604 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95 Verlustleistung Pd: 6.25 Verlustleistung: 6.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 1.604 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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| GD1000HFX170P2S |
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Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95
Dauer-Kollektorstrom: 1.604
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: 6.25
Verlustleistung: 6.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1.604
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95
Dauer-Kollektorstrom: 1.604
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: 6.25
Verlustleistung: 6.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1.604
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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