GD100FFX65C5S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 12 Stücke:
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Technische Details GD100FFX65C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 130A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 331W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 331W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 130A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD100FFX65C5S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GD100FFX65C5S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 100A Case: C5 45mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD100FFX65C5S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 100A Case: C5 45mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |