GD100HFX170C1S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD100HFX170C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 168A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 632W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 632W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 168A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD100HFX170C1S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GD100HFX170C1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 24 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD100HFX170C1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 100A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |