GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: D6
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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Technische Details GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 155, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 500, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: -, DC-Kollektorstrom: 155, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote GD100SGY120D6S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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GD100SGY120D6S | STARPOWER |
 Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 155 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 500 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: - DC-Kollektorstrom: 155 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD100SGY120D6S |
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Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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