GD10PJX65L2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 95W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD10PJX65L2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Verlustleistung: 95W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 20A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote GD10PJX65L2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD10PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 10A Case: L2.5 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD10PJX65L2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: L2.5
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 10A
Case: L2.5
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH