GD1200HFY120C3S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 959.77 EUR |
| 5+ | 872.67 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GD1200HFY120C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 8.196kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.196kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 2.23kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD1200HFY120C3S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD1200HFY120C3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C3 130mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.2kA Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 2.4kA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD1200HFY120C3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C3 130mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.2kA
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH