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GD200FFY120C6S

GD200FFY120C6S STARPOWER

3123025.pdf
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 309
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.006
Verlustleistung: 1.006
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 309
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 13 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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5+296.61 EUR
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Technische Details GD200FFY120C6S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD200FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 309, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 1.006, Verlustleistung: 1.006, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, DC-Kollektorstrom: 309, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GD200FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200FFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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