GD200HFX170C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 337A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 1.271kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.271kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 337A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details GD200HFX170C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 337 A, 1.85 V, 1.271 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 337A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 1.271kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.271kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 337A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Weitere Produktangebote GD200HFX170C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD200HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 200A Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD200HFX170C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 200A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

