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GD200TLQ120L3S

GD200TLQ120L3S STARPOWER


3789545.pdf Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200TLQ120L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 200 A, 1.45 V, 666 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 666W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 16 Stücke:

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Technische Details GD200TLQ120L3S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD200TLQ120L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 200 A, 1.45 V, 666 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 666W, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
GD200TLQ120L3S Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
GD200TLQ120L3S Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
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