GD200TLQ120L3S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200TLQ120L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 200 A, 1.45 V, 666 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
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IGBT-Anschluss: Lötanschluss
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Verlustleistung: 666W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD200TLQ120L3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200TLQ120L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 200 A, 1.45 V, 666 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 666W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 200A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD200TLQ120L3S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD200TLQ120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: L3 Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 400A Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 16 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD200TLQ120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH