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GD20MPS12A

GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor

gd20mps12a.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
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Technische Details GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

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GD20MPS12A GD20MPS12A Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
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GD20MPS12A GD20MPS12A Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A-3478686.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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GD20MPS12A Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf GD20MPS12A THT Schottky diodes
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