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GD20MPS12A

GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR

GD20MPS12A.pdf Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.38 EUR
14+5.16 EUR
100+5.09 EUR
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Technische Details GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 42A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

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GD20MPS12A GD20MPS12A Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Max. forward voltage: 1.9V
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Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 128A
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GD20MPS12A GD20MPS12A Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
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GD20MPS12A GD20MPS12A Hersteller : GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A-3478686.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
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