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GD25Q127CYIGR

GD25Q127CYIGR GigaDevice

2023__Gde.pdf
Hersteller: GigaDevice
NOR Flash 128Mbit NOR Flash /3.3V /WSON8 8*6mm /Industrial(-40? to +85?) /T&R
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Technische Details GD25Q127CYIGR GigaDevice

Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON, Memory Organization: 16M x 8, Memory Interface: SPI - Quad I/O, Write Cycle Time - Word, Page: 12µs, 2.4ms, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: 8-WSON (6x8), Memory Format: FLASH, Clock Frequency: 104 MHz, Technology: FLASH - NOR, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 128Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GD25Q127CYIGR GD25Q127CYIGR GIGADEVICE PEF25q127cyigr_0001.pdf Pami??: NOR Flash | 128Mbit | Quad I/O,SPI | 104MHz | 2,7?3,6V | WSON8 GD25Q127CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited PEF25q127cyigr
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GD25Q127CYIGR PEF25q127cyigr_0001.pdf
GD25Q127CYIGR
Hersteller: GIGADEVICE
Pami??: NOR Flash | 128Mbit | Quad I/O,SPI | 104MHz | 2,7?3,6V | WSON8 GD25Q127CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited PEF25q127cyigr
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