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GD25Q40EEIGR

GD25Q40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

DS-00538-GD25Q40E-Rev1.0.pdf Hersteller: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (3x2)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details GD25Q40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR (SLC), Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-USON (3x2), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, Access Time: 7 ns, Memory Organization: 512K x 8.

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GD25Q40EEIGR GD25Q40EEIGR Hersteller : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited DS-00538-GD25Q40E-Rev1.0.pdf Description: IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (3x2)
Write Cycle Time - Word, Page: 70µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
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