GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
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Technische Details GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD2X100MPS12N |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
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